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笔记本维修之SDR内存参数详解

编辑:郑州正达电脑维修服务公司   时间:2013/06/26   字号:
摘要:笔记本维修之SDR内存参数详解
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片,SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片,里面留存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时,支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息,按照读取的值来设置内存的存取时间。重庆宏基笔记本维修站可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息,例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式,一般为PCx-xxx-xxx,但是不同的内存规范,其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
(1)1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为:PCa-bcd-efgh,例如PC100-322-622R,其中a表示标准工作频率,用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示,一般为2;d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示,一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据读取时间),一般为6(ns)或6。5,越短越好;f表示SPD版本号,所有的PC100内存条上都有EEPROM,用来记录此内存条的相关信息,符合Intel PC100规范的为1。2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。
(2)1.2b 版本
其格式为:PCa-bcd-eeffghR,例如PC100-322-54122R,其中a表示标准工作频率,用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示;d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4ns tAC;ff代表SPD版本,如12代表SPD版本为1.2;g代表修订版本,如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM(版本为2.0)内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准,威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3,延用了PC100的大部分规范,例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD;英特尔的PC133规范要严格一些,是PC133 CAS=2,要求内存芯片至少7.5ns,在133MHz时最好能达到CAS=2。PC133 SDRAM标注格式为:PCab-cde-ffg,例如PC133U-333-542,其中a表示标准工作频率,单位MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲区;c表示最小的CL(即CAS的延迟时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4ns tAC;g代表SPD版本,如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM(版本为1.0)内存标注格式
其格式为:PCab-ccde-ffg,例如PC2100R-2533-750,其中a表示内存带宽,单位为MB/s;a*1/16=内存的标准工作频率,例如2100代表内存带宽为2100MB/s,对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲区;cc表示CAS延迟时间,用时钟周期数表示,表达时不带小数点,如25代表CL=2.5;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如75代表7.5ns tAC;g代表SPD版本,如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为:aMB/b c d PCe,例如256MB/16 ECC PC800,其中a表示内存容量;b代表内存条上的内存颗粒数量;c代表内存支持ECC;d保存;e代表内存的数据传输率,e*1/2=内存的标准工作频率,例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s,对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外,还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片,内存芯片因为生产厂家的不同,其上的编号也有所不同。由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额,它们产的内存芯片质量稳定,价格不高,另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存,先来看看它们的内存芯片编号。
(1)HYUNDAI(现代)
现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,其SDRAM芯片编号格式为:HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM);b代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);fg代
表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后世表内核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-II,TD=13mm TSOP-II,TG=16mm TSOP-II);no代表速度(7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
1.SDRAM内存(老版本)
第1字段由HY组成,代表现代产品。
第2字段代表产品类型,57代表DRAM;5D代表DDR SDRAM。
第3字段代表电压,V代表3.3V;U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新,4代表4MB(1K刷新);16代表16M(4K刷新);64代表64M(8K刷新);65代表64M(4K刷新);128代表128M(8K刷新);129代表128M(4K刷新);257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽,40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。
第6字段代表芯片组成,1代表2BANK;2代表4BANK。
第7字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL;2代表SSTL2。
第8字段代表芯片修正版本;空白代表第1版,A代表第2版;B代表第3版;C代表第4版;D代表第5版。
第9字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。
第10字段代表封装方式;JC代表400mil SOJ;TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm
TSOP-Ⅱ;TQ代表100Pin TQFPI。
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